近日,兆驰半导体、长春希达、第三代半导体研究院、海目星、罗化芯、隆利科技、旭显未来等企业纷纷公布最新Micro LED或LED背光专利信息,涉及外延结构及其制备方法、發光芯片測試方法、修複方法與修複設備、芯片封裝體及其制備方法、顯示面板及其形成方法、巨量轉移等方面。
兆馳半導體:一種高空穴注入效率Micro-LED外延結構及其制備方法
江西兆馳半導體有限公司申請一項名爲“一種高空穴注入效率Micro-LED外延結構及其制備方法”的發明專利,申請公布號爲CN118899378A,申請公布日爲2024月11月5日,發明人爲舒俊、程龍、高虹、鄭文傑、張彩霞、劉春楊、胡加輝、金從龍。
專利摘要:本發明公開了一種高空穴注入效率Micro‑LED外延結構及其制備方法,涉及半導體技術領域。本發明的Micro‑LED外延結構包括多量子阱發光層、多階P型空穴注入增強層和P型半導體層;多階P型空穴注入增強層包括第一階空穴注入增強層、第二階空穴注入增強層和第三階空穴注入增強層;第一階空穴注入增強層包括第一AlGaN層和第一InGaN層;第二階空穴注入增強層包括第二AlGaN層和第二InGaN層,第二InGaN層中摻雜有Mg;第三階空穴注入增強層包括第三AlGaN層、第三InGaN層和第四InGaN層,第三InGaN層和第四InGaN層中分別摻雜有Mg。本發明高空穴注入效率的Micro‑LED外延結構,可顯著提高P型半導體層的空穴注入效率並改善多量子阱發光層區域電子空穴濃度的匹配度,從而提高Micro‑LED芯片在低工作電流密度下的光效。
据悉,江西兆驰半导体有限公司为深圳市兆驰股份有限公司在江西省南昌市高新技术产业区设立的全资子公司,注册资金为16 亿元,总投资 100 亿元,是一家专业从事 LED 外延片和芯片集研发生产为一体的国家级高新 技术企业,园区占地约 500 亩,一期厂房、研发及配套建筑面积约 35 万多平方米。 母公司深圳市兆驰股份涉及传统 液晶电视、智能家居、LED全产业链、互联网影视传媒等。公司 LED产业链覆盖LED 芯片、封装、COB 直显应用与Mini LED背光电视等。
兆馳半導體:用于Micro-LED的外延結構及其制備方法
江西兆馳半導體有限公司申請一項名爲“用于Micro-LED的外延結構及其制備方法”的發明專利,申請公布號爲CN118888657A,申請公布日爲2024月11月1日,發明人爲胡加輝、鄭文傑、程龍、高虹、劉春楊、金從龍。
專利摘要:本發明公開了一種用于Micro‑LED的外延結構及其制備方法、Micro‑LED,涉及半導體光電器件領域。其中,外延結構依次包括襯底、緩沖層、非摻雜GaN層、N型GaN層、多量子阱層、空穴輸運層和P型GaN層;多量子阱層包括交替層疊的量子阱層和量子壘層;所述量子阱層爲InxGa1‑xN層,所述量子壘層包括依次層疊的InyGa1‑yN層、AlzGa1‑zN層和BwGa1‑wN層;x>y;所述量子壘層的厚度<10nm;所述空穴輸運層包括依次層疊的AlαGa1‑αN層、BβGa1‑βN層和AlN層;w>α>β。實施本發明,可提升Micro‑LED在低電流密度下的光效,提升其顯示效果。
長春希達:一種Micro-LED發光芯片測試方法
長春希達電子技術有限公司申請一項名爲“一種Micro-LED發光芯片測試方法”的發明專利,申請公布號爲CN118884188A,申請公布日爲2024月11月1日,發明人爲鄭喜鳳、陳煜豐、毛新越、曹慧、汪洋、苗靜、張曦。
專利摘要:一種Micro‑LED發光芯片測試方法,涉及Micro‑LED顯示技術領域,解決現有采用TFT的AM驅動技術驅動Micro‑LED顯示器時,由于TFT和LED的性能差異會造成紅綠藍LED亮度匹配不均造成灰度過度不均勻以及亮度不均勻性的問題。方法通過基于PCB基板設計Micro‑LED測試陣列模組,陣列內部采用並聯方式將LED陣列連接,外部采用電壓源直接驅動方式保證加載到每顆LED上的電壓是一致的。通過測試紅綠藍三基色Micro‑LED陣列模組從0灰階到255灰階的數據電壓計算得紅綠藍模組最小灰階電壓的公約數以及Micro‑LED白場最小的灰階等級。本發明適用于Micro‑LED顯示領域。
据了解,长春希达电子技术有限公司成立于2001年, 依托于中科院长春光机所建立,集研发、生产、销售、服务及研究生培养为一体的企业, 是专业从事创新性技术研究的LED显示与LED照明产品制造商。
第三代半導體研究院:Micro-LED器件及其制備方法
江蘇第三代半導體研究院有限公司申請一項名爲“Micro-LED器件及其制備方法”的發明專利,申請公布號爲CN118867068A,申請公布日爲2024月10月29日,發明人爲王陽。
專利摘要:本發明公開一種Micro‑LED器件及其制備方法,該方法包括在襯底上依次形成層疊的N型層、第一發光結構和第一介質層;去除上述膜層的一部分,形成間隔分布的第一凸起、第一凹槽、第二凸起、第二凹槽和第三凸起;在第一凹槽和第二凹槽形成第二介質層;去除至少部分第一介質層和部分第二介質層、露出第一發光結構並形成第一孔,並形成第一P電極;去除第一凹槽上的第二介質層,在第一凹槽槽底依次形成第二發光結構和第二P電極;去除第二凹槽上的第二介質層,並形成第三發光結構和第三P電極;去除第三凸起、第三凸起表面的第一介質層和第二介質層,露出N型層並N電極。采用該方案,保證色彩的純淨度和亮度均勻性,改善發光效率低下和顔色一致性差的問題。
江苏第三代半导体研究院有限公司(以下简称研究院)于2019年7月注册于苏州工业园区,是以市场化机制运行的新型研发机构。研究院以培育发展第三代半导体技术应用产业为目标,聚焦第三代半导体在新型显示、5G 通信、电力电子、环境与健康等领域的应用,开展第三代半导体高质量材料制备技术、器件外延技术、芯片工艺技术、应用模块设计与集成技术、相关装备技术等关键共性技术研发和成果转移转化,建立覆盖第三代半导体全产业链条、全体系的创新平台,实现技术、人才、成果等资源的可持续供给和配套能力,加快第三代半导体产业的集聚发展,推动基础研究、应用研究和产业的有机融合。
海目星:Micro-LED修複方法與修複設備
海目星激光科技集團股份有限公司申請一項名爲“Micro-LED修複方法與修複設備”的發明專利,申請公布號爲N118848253A,申請公布日爲2024月10月29日,發明人爲徐念、李兵、譚寶。
專利摘要:本發明公開了一種Micro‑LED修複方法與修複設備,修複設備包括支撐架、激光加工組裝置、物鏡組件、Z軸模組和T軸模組,所述物鏡組件沿T軸方向滑動連接于所述支撐架上,所述T軸模組用于驅動所述物鏡組件移動,以使物鏡組件中不同倍率的物鏡移動至激光加工組裝置射出激光的同軸位置,所述激光加工組裝置沿Z軸方向滑動連接于所述支撐架上,所述Z軸模組用于驅動所述支撐架移動,以調節所述物鏡組件在Z軸方向的位置;修複方法采用上述修複設備實現Micro‑LED的修複。本發明通過不同倍率物鏡的選擇以及物鏡高度的調節來自動追焦,從而提高加工的精度,同時提高加工效率。
海目星激光科技集團股份有限公司總部位于深圳,現有海目星(江門)激光智能裝備有限公司、海目星激光智能裝備(江蘇)有限公司、海目星激光智能裝備(成都)有限公司等多家全資子公司。海目星激光一直以來深耕激光和自動化領域,主要從事锂電、光伏、消費電子、钣金加工、先進顯示等行業激光及自動化設備的研發、設計、生産及銷售,在激光、自動化和智能化綜合運用領域已形成較強的優勢。
羅化芯:一種多Micro-LED芯片封裝體及其制備方法
羅化芯顯示科技開發(江蘇)有限公司申請一項名爲“一種多Micro-LED芯片封裝體及其制備方法”的發明專利,申請公布號爲CN118867073A,申請公布日爲2024月10月29日,發明人爲李雍、劉斌、瞿澄、陳文娟。
專利摘要:本發明涉及一種多Micro‑LED芯片封裝體及其制備方法,涉及半導體顯示技術領域。在本發明的多Micro‑LED芯片封裝體的制備方法中,通過優化第一氧化锆鈍化層、第二氧化锆鈍化層以及第三氧化锆鈍化層的制備工藝,使得各氧化锆鈍化層的表面爲粗糙結構,進而在後續形成各金屬層時,可以有效提高二者的結合性能,進而可以有效避免各金屬層剝離,且通過形成第一金屬層、第二金屬層以及第三金屬層,爲各Micro‑LED芯片與第二電極之間提供多條導電通路,在後續的使用過程中,即使某一個導電通路發生斷路,這也不妨礙各Micro‑LED芯片的正常使用。
羅化芯:一種Micro-LED顯示面板及其形成方法
羅化芯顯示科技開發(江蘇)有限公司申請一項名爲“一種Micro-LED顯示面板及其形成方法”的發明專利,申請公布號爲CN118867074A,申請公布日爲2024月10月29日,發明人爲李雍、劉斌、瞿澄、陳文娟。
專利摘要:本發明涉及一種Micro‑LED顯示面板及其形成方法,涉及半導體顯示技術領域。在本發明的Micro‑LED顯示面板的形成方法中,通過在第二半導體層上形成第一透明導電層,並對所述第一透明導電層進行圖案化處理,以形成多個平行排列的條形透明導電凸塊,接著形成第二透明導電層,且設置第一透明導電層爲鎂和氟共摻雜的氧化錫,第二透明導電層爲氧化铟錫,通過上述設置,可以大大提高電流的擴散性能,進而可以提高Micro‑LED單元的發光性能。
求是高等研究院:Micro-LED顯示芯片制備方法及Micro-LED顯示芯片
江西求是高等研究院申請一項名爲“Micro-LED顯示芯片制備方法及Micro-LED顯示芯片”的發明專利,申請公布號爲CN118825173A,申請公布日爲2024月10月21日,發明人爲封波、喻文輝、彭康偉。
專利摘要:本發明提供了一種Micro‑LED顯示芯片制備方法及Micro‑LED顯示芯片,制備方法包括:在生長襯底上沈積GaN外延層和第一鍵合金屬層;在驅動電路基板表面沈積第二鍵合金屬層後與第一鍵合金屬層鍵合;去除生長襯底及部分GaN外延層後進行光刻和刻蝕,以形成若幹相互獨立的Micro‑LED單元;沈積鈍化層和N電極層,得到若幹獨立的發光台面;在相鄰的兩發光台面之間沈積環形的金屬電極,在金屬電極與發光台面之間填充含有量子點和納米熒光粉的粘性光學塗層;制備微透鏡陣列後貼合在粘性光學塗層上,以得到目標Micro‑LED顯示芯片。本申請的Micro‑LED顯示芯片爲全彩顯示芯片,發光亮度強、效率高。
旭显未来:取得Micro LED巨量转移专利
国家知识产权局信息显示,旭显未来(北京)科技有限公司取得一项名为“一种MicroLED芯片巨量转移装置”的专利,授权公告号CN221885132U,申请日期为2024年2月。专利可通过在焊盘位置设置凹陷区,并利用磁性吸附的原理实现Micro LED芯片的快速定位安装,可靠性高。
专利摘要显示,本实用新型涉及显示技术领域,具体涉及一种Micro LED芯片巨量转移装置。一种Micro LED芯片巨量转移装置包括Micro LED芯片、转移基板和摇动单元;转移基板上设置有焊盘位置,焊盘位置处设置有凹陷区;焊盘位置的其中一个电极具有磁性;Micro LED芯片两个电极具有磁性,其中,Micro LED芯片与转移基板相同定义的电极上具有的磁性与焊盘位置上的磁性相反;摇动单元与转移基板传动连接并用于摇动转移基板,使Micro LED芯片落于凹陷区。
旭显未来是一家专业从事Mini/Micro LED顯示屏生产技术研发、软件开发、技术服务、系统集成的高新技术企业。在全国范围内布局了五大生产基地,分别位于山东、湖南、江西、安徽、浙江。
溢彩芯光:一種疊層式全彩Micro-LED微顯示裝置及其制作方法
溢彩芯光科技(甯波)有限公司申請一項名爲“一種疊層式全彩Micro-LED微顯示裝置及其制作方法”的專利,公開號CN118782599A,申請公布日爲2024月10月15日,發明人爲鮑旭源、馮浩賢。
专利摘要:本申请公开了一种叠层式全彩 Micro-LED 微显示装置及其制作方法,属于显示器件技术领域。包括 CMOS 集成电路板,所述 CMOS 集成电路板上阵列排布有垂直设置的若干全彩发光单元,所述全彩发光单元包括若干单色发光单元;所述单色发光单元包括蓝光发光单元、绿光发光单元、红光发光单元;所述红光单元由其结构中的绿光氮化镓发光层通电激发发出红光,所述绿光发光单元、红光发光单元由 CMOS 集成电路板驱动发光。本申请采用电致发光发出的绿光,较电致发光产生的蓝光二次激发绿光量子点发光所消耗的能量低,可有效降低器件的功耗,并规避了量子点自身的性能缺陷问题,避免反光挡墙刻蚀过程中刻蚀气体对绿光量子点转光层材料的破坏。
据了解,溢彩芯光专注于Micro LED微显示芯片的研发、生产与销售,核心产品为Micro LED微显示器,具有低功耗、高亮度、高刷新率、高PPI等优势,可广泛应用于AR显示行业,并扩展应用到AR-HUD、矩阵车灯、微投影仪等领域。公司已具备“硅基GaN外延片—钙钛矿量子点材料—Micro LED芯片结构设计—半导体加工”全链条能力。
隆利科技:直下式背光裝置及顯示設備
深圳市隆利科技股份有限公司发公告称,近日收到由国家知识产权局颁发的一 项发明专利证书,
发明专利《直下式背光装置及显示设备》提供一种改善面光源均匀出光的直下式背光装置 ,利用直下式背光的整体结构和反射杯上设置的透光结构,将从 LED 光源射出的光通过所述透光结构在所述反射杯之间传播,在不增加成本与出光均匀度的条件下,可有效地缩减LED光源与光学膜片之间的间距使得背光装置达到薄型化,克服亮暗不均 ( 的问题 实现均匀的面光源出光,并且提高了光的利用效率。
据了解,深圳市隆利科技股份有限公司深耕背光显示模组行业,以LED背光显示模组为依托,拓展Mini-LED、Micro-LED等新技术;在现有业务的基础上,同时向车载、智能穿戴、电竞显示器等领域拓展等。自2016年以来,公司已投入大量资金及人力开展 Mini-LED 技术的研发,分别在 IC 驱动、电路设计、结构、光学以及柔性板封装方面进行了研究和整合。公司的 Mini-LED 技术率先实现了多个应用领域的技术突破,已经成功应用于车载显示、显示器以及 VR 等领域。同时,公司布局了行业前沿技术Micro-LED技术,也储备了相关的专利技术,未来公司将继续保持创新理念,进一步增强公司的竞争实力。